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SSM6K513NU半功率和小尺寸封装的紧凑型MOSFET最新到货,欢迎咨询

发布时间:2019/7/30 11:05:00 访问次数:37 发布企业:深圳市和谐世家电子有限公司

半功率和小尺寸MOSFET 东芝提供尺寸为2 mm x 2 mm和2.9 mm x 2.8 mm封装的紧凑型MOSFET

东芝半功率和小尺寸MOSFET的图片使用先进技术实现业界领先的低RON特性。东芝提供符合行业标准的2 mm x 2 mm和2.9 mm x 2.8 mm封装,可为智能手机和可穿戴设备等电池供电设备中的MOSFET提供低损耗和紧凑尺寸。

东芝采用先进的沟槽工艺,使其单元结构小型化,以实现业界领先的低RON。与老一代工艺相比,最新一代沟槽工艺Pch7和Nch9成功地将每单位面积的导通电阻降低了70%。它有效降低传导损失。

低损耗和紧凑的半导体器件对于降低电源系统和移动应用(如快速充电和USB PD)的功耗至关重要。例如,SSM6K513NU是采用东芝先进技术的MOSFET,与实际机器测试中的竞争对手相比,假设供电电流为5A,它可以实现极低的导通电阻和降低的温升,导致传导损耗降低27%。

特征 低导通电阻:4.5 V时为12mΩ至105mΩ 宽电压额定值阵容:VDSS= -20 V至100 V. 应用 物联网设备 移动设备 N沟道

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P沟道

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