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FF600R12ME4

发布时间:2019/7/30 12:56:00 访问次数:2239 发布企业:深圳市明烽威电子有限公司

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 995 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

零件号别名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 995 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

零件号别名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

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