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IKW40N120T2晶体管

发布时间:2019/8/20 17:53:00 访问次数:45 发布企业:安富利(深圳)商贸有限公司

IKW40N120T2参数介绍:
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 75 A
Pd-功率耗散: 480 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
高度: 20.9 mm
长度: 15.9 mm
宽度: 5.03 mm
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
工厂包装数量: 240
零件号别名: IKW40N120T2FKSA1 IKW4N12T2XK SP000244962
单位重量: 38 g



今日主推产品:
ASV-11.0592MHZ-E-T(TI)ASV-11.0592MHZ-E-T(TI)ASV-16.000MHZ-E-T(TI)ASE-48.000MHZ-LC-T(TI)ASE-48.000MHZ-LC-T(TI)




典型工作电路








安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;
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IKW40N120T2封装图片




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